Příprava tenkých filmů Pb(Zr,Ti)O3 pomocí depozice iontovým svazkem

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389021%3A_____%2F17%3A00477052" target="_blank" >RIV/61389021:_____/17:00477052 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Příprava tenkých filmů Pb(Zr,Ti)O3 pomocí depozice iontovým svazkem

Popis výsledku v původním jazyce

Olovo-zirkonát-titanát Pb(Zr, Ti)O3 (PZT) je ferroeletkrický materiál zajímavý pro svou vysokou dielektrickou konstatnu a silnou piezoelektrickou odezvu. Tenké PZT vrstvy mohou být připraveny různými metodami, např. pulzní laservou depozicí, chemickým nanášením par, metodou sol-gel a nejčastěji naprašování používá častěji, mohou být tenké PZT vrstvy připaeni i naprašováním iontovým svazkem (IBS). V tomto článku studujeme depoziční proces tenkých PZT vrstev v našem systému depozice iontovým svazkem s možností asistenčního iontového svazku (IBAD). Soustředíme se zejména na ovlivnění kvality výsledných vrstev množstvím připouštěného kyslíku během depozice. Porovnáváme vzorky pěstované na křemíkovém substrátu s Ti mezivrstvou nebo bez ní.

Název v anglickém jazyce

Ion beam sputtering deposition of Pb(ZrTi)O3 thin films

Popis výsledku anglicky

Pb(Zr, Ti)O3 (PTZ) is a ferroelectric material interesting for its high dielectric constatn and piezoelectric response. PZT thin films can be prepared by various method, e.g. pulsed laser depozition, chemical vapon deposition, sol-gel and, most frequently, sputtering. Though the magnetron sputtering is used more frequently, PZT thin films can be prepared also by ion-beam sputtering (IBS). In this paper we study the deposition process of PZT thin films in our IBS system with a possibiltiy of ion-beam assisted deposition (IBAD), which has the advatnate that more energy can be added to the growing layer. We focus here mainly on the influence of the osyxgen flux during the deposition on the quality of the resulting layers. We compare the samples grown on the silicon substrate with and without and intermediate Ti seeding layer.

Druh

J_ost - Ostatní články v recenzovaných periodicích

CEP obor

—

OECD FORD obor

20504 - Ceramics

Projekt

<a href="/cs/project/LO1206" target="_blank" >LO1206: Moderní optické systémy a technologie</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Jemná mechanika a optika

ISSN

0447-6441

e-ISSN

—

Svazek periodika

62

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

CZ - Česká republika

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

18-21

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—