Amorphous gallium oxide grown by low-temperature PECVD

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F18%3A00102357" target="_blank" >RIV/00216224:14310/18:00102357 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1116/1.5018800" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1116/1.5018800</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1116/1.5018800" target="_blank" >10.1116/1.5018800</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Amorphous gallium oxide grown by low-temperature PECVD

Popis výsledku v původním jazyce

Owing to the wide application of metal oxides in energy conversion devices, the fabrication of these oxides using conventional, damage-free, and upscalable techniques is of critical importance in the optoelectronics community. Here, theauthors demonstrate the growth of hydrogenated amorphous gallium oxide (a-GaOx:H) thin-films by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at temperatures below 200°C. In this way, conformal films are deposited at high deposition rates, achieving high broadband transparency, wide band gap (3.5-4 eV), and low refractive index (1.6 at 500 nm). The authors link this low refractive index to the presence of nanoscale voids enclosing H2, as indicated by electron energy-loss spectroscopy. This work opens the path for further metal-oxide developments by low-temperature, scalable and damage-free PECVD processes.

Název v anglickém jazyce

Amorphous gallium oxide grown by low-temperature PECVD

Popis výsledku anglicky

Owing to the wide application of metal oxides in energy conversion devices, the fabrication of these oxides using conventional, damage-free, and upscalable techniques is of critical importance in the optoelectronics community. Here, theauthors demonstrate the growth of hydrogenated amorphous gallium oxide (a-GaOx:H) thin-films by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at temperatures below 200°C. In this way, conformal films are deposited at high deposition rates, achieving high broadband transparency, wide band gap (3.5-4 eV), and low refractive index (1.6 at 500 nm). The authors link this low refractive index to the presence of nanoscale voids enclosing H2, as indicated by electron energy-loss spectroscopy. This work opens the path for further metal-oxide developments by low-temperature, scalable and damage-free PECVD processes.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

<a href="/cs/project/LO1411" target="_blank" >LO1411: Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Vacuum Science and Technology A

ISSN

0734-2101

e-ISSN

—

Svazek periodika

36

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

1-7

Kód UT WoS článku

000426978500043

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85042872472