Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Preparation of high-quality stress-free (001) aluminum nitride thin film using a dual Kaufman ion-beam source setup

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F19%3A00109304" target="_blank" >RIV/00216224:14310/19:00109304 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216305:26620/19:PU130122

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2018.12.035" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2018.12.035</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2018.12.035" target="_blank" >10.1016/j.tsf.2018.12.035</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Preparation of high-quality stress-free (001) aluminum nitride thin film using a dual Kaufman ion-beam source setup

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We proposed and demonstrated a preparation method of (001) preferentially oriented stress-free AlN piezoelectric thin films. The AlN thin films were deposited by a reactive sputtering technique at substrate temperatures up to 330 degrees C using a dual Kaufman ion-beam source setup. We deposited the AlN on Si (100), Si (111), amorphous SiO2, and a (001) preferentially oriented Ti thin film and compared their crystallographic, optical, and piezoelectric properties. The AlN thin films deposited on the (001) preferentially oriented Ti thin films have the highest crystallographic quality. The stress-free AlN reached a high value of the piezoelectric coefficient d(33) = (7.33 +/- 0.08) pC.N-1. The properties of the AlN thin film prepared at such low temperatures are suitable for numerous microelectromechanical systems, piezoelectric sensors, and actuators monolithically integrated with complementary metal-oxide-semiconductor signal-processing circuits.

  • Název v anglickém jazyce

    Preparation of high-quality stress-free (001) aluminum nitride thin film using a dual Kaufman ion-beam source setup

  • Popis výsledku anglicky

    We proposed and demonstrated a preparation method of (001) preferentially oriented stress-free AlN piezoelectric thin films. The AlN thin films were deposited by a reactive sputtering technique at substrate temperatures up to 330 degrees C using a dual Kaufman ion-beam source setup. We deposited the AlN on Si (100), Si (111), amorphous SiO2, and a (001) preferentially oriented Ti thin film and compared their crystallographic, optical, and piezoelectric properties. The AlN thin films deposited on the (001) preferentially oriented Ti thin films have the highest crystallographic quality. The stress-free AlN reached a high value of the piezoelectric coefficient d(33) = (7.33 +/- 0.08) pC.N-1. The properties of the AlN thin film prepared at such low temperatures are suitable for numerous microelectromechanical systems, piezoelectric sensors, and actuators monolithically integrated with complementary metal-oxide-semiconductor signal-processing circuits.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LM2015041" target="_blank" >LM2015041: CEITEC Nano</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2019

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Thin Solid Films

  • ISSN

    0040-6090

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    670

  • Číslo periodika v rámci svazku

    December

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

    105-112

  • Kód UT WoS článku

    000454719000016

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85058799519