Preparation of (001) preferentially oriented titanium thin films by ion-beam sputtering deposition on thermal silicon dioxide

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F16%3A00093661" target="_blank" >RIV/00216224:14740/16:00093661 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216305:26620/16:PU116555

Výsledek na webu

<a href="http://link.springer.com/article/10.1007%2Fs10853-015-9648-y" target="_blank" >http://link.springer.com/article/10.1007%2Fs10853-015-9648-y</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s10853-015-9648-y" target="_blank" >10.1007/s10853-015-9648-y</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Preparation of (001) preferentially oriented titanium thin films by ion-beam sputtering deposition on thermal silicon dioxide

Popis výsledku v původním jazyce

We propose the ion-beam sputtering deposition providing Ti thin films of desired crystallographic orientation and smooth surface morphology not obtainable with conventional deposition techniques such as magnetron sputtering and vacuum evaporation. The sputtering was provided by argon broad ion beams generated by a Kaufman ion-beam source. In order to achieve the optimal properties of thin film, we investigated the Ti thin films deposited on an amorphous thermal silicon dioxide using X-ray diffraction, and atomic force microscopy. We have optimized deposition conditions for growing of thin films with the only (001) preferential orientation of film crystallites, and achieved ultra-low surface roughness of 0.55 nm. The deposited films have been found to be stable upon annealing up to 300 A degrees C which is often essential for envisaging subsequent deposition of piezoelectric AlN thin films.

Název v anglickém jazyce

Preparation of (001) preferentially oriented titanium thin films by ion-beam sputtering deposition on thermal silicon dioxide

Popis výsledku anglicky

We propose the ion-beam sputtering deposition providing Ti thin films of desired crystallographic orientation and smooth surface morphology not obtainable with conventional deposition techniques such as magnetron sputtering and vacuum evaporation. The sputtering was provided by argon broad ion beams generated by a Kaufman ion-beam source. In order to achieve the optimal properties of thin film, we investigated the Ti thin films deposited on an amorphous thermal silicon dioxide using X-ray diffraction, and atomic force microscopy. We have optimized deposition conditions for growing of thin films with the only (001) preferential orientation of film crystallites, and achieved ultra-low surface roughness of 0.55 nm. The deposited films have been found to be stable upon annealing up to 300 A degrees C which is often essential for envisaging subsequent deposition of piezoelectric AlN thin films.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of materials science

ISSN

0022-2461

e-ISSN

—

Svazek periodika

51

Číslo periodika v rámci svazku

7

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

3329-3336

Kód UT WoS článku

000368054100005

EID výsledku v databázi Scopus

—