Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Dependence of the Normalized Absorbance of the DLC:SiOx Thin Films on the Flow Rate of HMDSO

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14330%2F03%3A00009229" target="_blank" >RIV/00216224:14330/03:00009229 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216224:14330/03:00008608

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Dependence of the Normalized Absorbance of the DLC:SiOx Thin Films on the Flow Rate of HMDSO

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Hard diamond like carbon (DLC) films with an addition of SiOx were deposited by capacitively coupled rf discharges from mixture of methane and hexamethyldisiloxane (HMDSO). The flow rate was changed in order to vary the SiOx content in the films. Thickness of the films was determined by ellipsometry. FTIR spectra showed presence of C-H bonds as well as silicon bonded to hydrogen and hydrocarbon groups. In the region 630-900 cm-1 normalized absorbance was computed. It is shown that the concentration of silicon containing bonds grows with the flow rate of HMDSO growing.

  • Název v anglickém jazyce

    Dependence of the Normalized Absorbance of the DLC:SiOx Thin Films on the Flow Rate of HMDSO

  • Popis výsledku anglicky

    Hard diamond like carbon (DLC) films with an addition of SiOx were deposited by capacitively coupled rf discharges from mixture of methane and hexamethyldisiloxane (HMDSO). The flow rate was changed in order to vary the SiOx content in the films. Thickness of the films was determined by ellipsometry. FTIR spectra showed presence of C-H bonds as well as silicon bonded to hydrogen and hydrocarbon groups. In the region 630-900 cm-1 normalized absorbance was computed. It is shown that the concentration of silicon containing bonds grows with the flow rate of HMDSO growing.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA202%2F00%2FP037" target="_blank" >GA202/00/P037: Plazmová depozice ochranných vrstev: charakterizace připravených vrstev a diagnostika užitého reaktivního plazmatu</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2003

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    JUNIORMAT 03

  • ISBN

    80-214-2462-1

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    2

  • Strana od-do

    58

  • Název nakladatele

    ÚMI VUT FSI v Brně ve spolupráci s Českou společností pro nové materiály a technologie

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    23.-24. 9. 2003, Brno

  • Datum konání akce

  • Typ akce podle státní příslušnosti

  • Kód UT WoS článku