Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Study of oxide precipitates in silicon using X-ray diffraction techniques

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F11%3A00050295" target="_blank" >RIV/00216224:14740/11:00050295 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68081723:_____/11:00371107

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201184263" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201184263</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201184263" target="_blank" >10.1002/pssa.201184263</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Study of oxide precipitates in silicon using X-ray diffraction techniques

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The results of a study of oxide precipitates in Czochralski (CZ) grown silicon using two X-ray diffraction methods are reported. The diffuse scattering around the Bragg diffraction maxima was measured on a series of samples after various two-stage annealing treatment. Combining the analysis of diffuse scattering with other experimental techniques we were able to determine mean precipitate size and deformation field around the precipitates. The obtained data show that the deformation field is proportional to the precipitate volume and independent on the annealing temperature or annealing time. The dynamical diffraction in Laue geometry was used to measure precipitate concentration. The results are compared to the selective etching concentration measurement.

  • Název v anglickém jazyce

    Study of oxide precipitates in silicon using X-ray diffraction techniques

  • Popis výsledku anglicky

    The results of a study of oxide precipitates in Czochralski (CZ) grown silicon using two X-ray diffraction methods are reported. The diffuse scattering around the Bragg diffraction maxima was measured on a series of samples after various two-stage annealing treatment. Combining the analysis of diffuse scattering with other experimental techniques we were able to determine mean precipitate size and deformation field around the precipitates. The obtained data show that the deformation field is proportional to the precipitate volume and independent on the annealing temperature or annealing time. The dynamical diffraction in Laue geometry was used to measure precipitate concentration. The results are compared to the selective etching concentration measurement.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    physica status solidi (a), Applied research

  • ISSN

    1862-6300

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    208

  • Číslo periodika v rámci svazku

    11

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    2587-2590

  • Kód UT WoS článku

    000297514200018

  • EID výsledku v databázi Scopus