Raman scattering study of Ge nanocrystals embedded into SiO2
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F00%3A00000041" target="_blank" >RIV/00216275:25310/00:00000041 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Raman scattering study of Ge nanocrystals embedded into SiO2
Popis výsledku v původním jazyce
Raman scattering study of Ge nanocrystals embedded into SiO2 was measured and optimized conditions for the measurement of Ge nanocrystals were discussed
Název v anglickém jazyce
Raman scattering study of Ge nanocrystals embedded into SiO2
Popis výsledku anglicky
Raman scattering study of Ge nanocrystals embedded into SiO2 was measured and optimized conditions for the measurement of Ge nanocrystals were discussed
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
CA - Anorganická chemie
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2000
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
The 47th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
ISBN
—
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
1
Strana od-do
—
Název nakladatele
The Japan Society of Applied Physics
Místo vydání
Japan
Místo konání akce
—
Datum konání akce
—
Typ akce podle státní příslušnosti
—
Kód UT WoS článku
—