Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Struktura a optické vlastnosti amorfních vrstev Ge-Se připravených pulsní laserovou depozicí

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F04%3A00001527" target="_blank" >RIV/00216275:25310/04:00001527 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Structure and optical properties of Ge-Se amorphous films prepared by pulsed laser deposition

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Thin amorphous films of GexSe1-x system, where x = 0.22-0.28, were prepared by pulsed laser deposition technique. The photo- and thermally-induced changes of structure and optical gap (Egopt) of the layers were studied and discussed. The exposure and annealing causes bleaching of films, Egopt values are thus increasing. The structure is influenced only marginally by exposure as it results from Raman spectra, the annealing causes decrease of Raman bands amplitudes corresponding to Ge-Ge, Se-Se bonds andto structural units similar to (GeSe)n. This fact can be ascribed to chemical reactions between the fragments formed during pulsed laser deposition.

  • Název v anglickém jazyce

    Structure and optical properties of Ge-Se amorphous films prepared by pulsed laser deposition

  • Popis výsledku anglicky

    Thin amorphous films of GexSe1-x system, where x = 0.22-0.28, were prepared by pulsed laser deposition technique. The photo- and thermally-induced changes of structure and optical gap (Egopt) of the layers were studied and discussed. The exposure and annealing causes bleaching of films, Egopt values are thus increasing. The structure is influenced only marginally by exposure as it results from Raman spectra, the annealing causes decrease of Raman bands amplitudes corresponding to Ge-Ge, Se-Se bonds andto structural units similar to (GeSe)n. This fact can be ascribed to chemical reactions between the fragments formed during pulsed laser deposition.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    CA - Anorganická chemie

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2004

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    XX International Congress on Glass

  • ISBN

    4-931298-43-5

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    The Ceramic Society of Japan

  • Místo vydání

    Tokyo

  • Místo konání akce

    Kyoto

  • Datum konání akce

    1. 1. 2004

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku