On the optical properties of amorphous Ge-Ga-Se films prepared by pulsed laser deposition.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F03%3A02030263" target="_blank" >RIV/68378271:_____/03:02030263 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216275:25310/03:00000566
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
On the optical properties of amorphous Ge-Ga-Se films prepared by pulsed laser deposition.
Popis výsledku v původním jazyce
Amorphous Ge-Ga-Se thin films(pure and disprosium doped) were prepared by the laser deposition technique using different energy of the lasre beam pulses. The effects of exposure and thermal annealing below the glass transition temperature on the opticalparameters (index of refraction, optical band gap) and the thickness of as-deposited chalcogenide thin films were studied.
Název v anglickém jazyce
On the optical properties of amorphous Ge-Ga-Se films prepared by pulsed laser deposition.
Popis výsledku anglicky
Amorphous Ge-Ga-Se thin films(pure and disprosium doped) were prepared by the laser deposition technique using different energy of the lasre beam pulses. The effects of exposure and thermal annealing below the glass transition temperature on the opticalparameters (index of refraction, optical band gap) and the thickness of as-deposited chalcogenide thin films were studied.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)