Deposition of SiC thin films using pulsed sputtering of a hollow cathode

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F09%3A00331189" target="_blank" >RIV/68378271:_____/09:00331189 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Deposition of SiC thin films using pulsed sputtering of a hollow cathode

Popis výsledku v původním jazyce

Thin films of SiC have been deposited using a hollow cathode sputtering methodes. Crystalline SiC thin films were deposited by pulsed hollow cathode plasma excitation.

Název v anglickém jazyce

Deposition of SiC thin films using pulsed sputtering of a hollow cathode

Popis výsledku anglicky

Thin films of SiC have been deposited using a hollow cathode sputtering methodes. Crystalline SiC thin films were deposited by pulsed hollow cathode plasma excitation.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/1M06002" target="_blank" >1M06002: Optické struktury, detekční systémy a související technologie pro nízkofotonové aplikace</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Materials Science and Engineering

ISSN

1934-8959

e-ISSN

—

Svazek periodika

3

Číslo periodika v rámci svazku

8

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—