Nízkotlaká depozice LixZnyO tenkých vrstev pomocí vysokofrekvenčního tryskové plazmového zdroje

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F04%3A00100164" target="_blank" >RIV/68378271:_____/04:00100164 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Low pressure deposition LixZnyO thin films by means of RF plasma jet system
Popis výsledku v původním jazyce
Low pressure RF hollow cathode plasma jet system was used for deposition of LixZnyO thin films. Hollow cathode discharge was excited by either CW or pulse modulated RF power. reactive sputtering of composed hollow cathode in Ar and O2 was used for that purpose. Hexagonal structure of ZnO crystallites was identified in deposited films. Photoluminescence was studied on the deposited samples as well
Název v anglickém jazyce
Low pressure deposition LixZnyO thin films by means of RF plasma jet system
Popis výsledku anglicky
Low pressure RF hollow cathode plasma jet system was used for deposition of LixZnyO thin films. Hollow cathode discharge was excited by either CW or pulse modulated RF power. reactive sputtering of composed hollow cathode in Ar and O2 was used for that purpose. Hexagonal structure of ZnO crystallites was identified in deposited films. Photoluminescence was studied on the deposited samples as well

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/KSK2043105" target="_blank" >KSK2043105: Procesy v plazmatu a interakce záření s hmotou</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2004
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)