The deposition of 3C-SiC thin films onto the (111) and (110) faces of Si using pulsed sputtering of a hollow cathode

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00370779" target="_blank" >RIV/68378271:_____/10:00370779 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.131" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.131</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.131" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.131</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The deposition of 3C-SiC thin films onto the (111) and (110) faces of Si using pulsed sputtering of a hollow cathode
Popis výsledku v původním jazyce
Thin films of SiC have been deposited using a hollow cathode sputtering technique. Several methods have been used including DC, RF, and pulsed sputtering. The films reported here have been deposited using DC and pulsed sputtering.
Název v anglickém jazyce
The deposition of 3C-SiC thin films onto the (111) and (110) faces of Si using pulsed sputtering of a hollow cathode
Popis výsledku anglicky
Thin films of SiC have been deposited using a hollow cathode sputtering technique. Several methods have been used including DC, RF, and pulsed sputtering. The films reported here have been deposited using DC and pulsed sputtering.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)