Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Amorfní tenké vrstvy Ge-Se připravené pulsní laserovou depozicí

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F04%3A00001530" target="_blank" >RIV/00216275:25310/04:00001530 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Amorphous Ge-Se thin films prepared by pulsed laser deposition

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Thin amorphous GexSe1-x, x = 0.22-0.28, films were prepared by pulsed laser deposition technique. The photo- and thermally-induced changes of structure and optical gap (Egopt ) of the films were studied and discussed. The exposure and annealing causes bleaching of films, the Egopt is increasing. The structure is influenced only a little by exposure, the annealing causes decrease of Raman bands amplitudes corresponding to Ge-Ge, Se-Se bonds and to structural units similar to (GeSe)n. This fact can be ascribed to chemical reactions between fragments formed during pulsed laser deposition.

  • Název v anglickém jazyce

    Amorphous Ge-Se thin films prepared by pulsed laser deposition

  • Popis výsledku anglicky

    Thin amorphous GexSe1-x, x = 0.22-0.28, films were prepared by pulsed laser deposition technique. The photo- and thermally-induced changes of structure and optical gap (Egopt ) of the films were studied and discussed. The exposure and annealing causes bleaching of films, the Egopt is increasing. The structure is influenced only a little by exposure, the annealing causes decrease of Raman bands amplitudes corresponding to Ge-Ge, Se-Se bonds and to structural units similar to (GeSe)n. This fact can be ascribed to chemical reactions between fragments formed during pulsed laser deposition.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    CA - Anorganická chemie

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LN00A028" target="_blank" >LN00A028: Nové a perspektivní anorganické sloučeniny a materiály</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2004

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Philosophical Magazine

  • ISSN

    1478-6443

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    84

  • Číslo periodika v rámci svazku

    9

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    9

  • Strana od-do

    877-885

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus