Příprava a charakterizace amorfních tenkých vrstev Ga-Ge-Sb-S.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F06%3A00004193" target="_blank" >RIV/00216275:25310/06:00004193 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Fabrication and characterization of amorphous Ga-Ge-Sb-S thin films.

Popis výsledku v původním jazyce

The aim of the present investigation was to optimize deposition conditions for the preparation of pure and Tm3+ or Er3+ doped sulphide films by pulsed laser deposition and rf magnetron sputtering system. The study of their compositional, morphological and structural characteristics was realized by MEB-EDS, atomic force, RBS, X-ray diffraction and Raman spectroscopy analyses. Some optical properties (transmittance, index of refraction, optical band gap, etc.) of prepared chalcogenide films and the propagation modes measured at 633 nm, 1304 nm and 1540 nm by means of the m-lines prism-coupling configuration were investigated. The whole results point out hopeful perspectives strengthened by the clear observation of the photo-luminescence of erbium and thulium within doped sulphide films.

Název v anglickém jazyce

Fabrication and characterization of amorphous Ga-Ge-Sb-S thin films.

Popis výsledku anglicky

The aim of the present investigation was to optimize deposition conditions for the preparation of pure and Tm3+ or Er3+ doped sulphide films by pulsed laser deposition and rf magnetron sputtering system. The study of their compositional, morphological and structural characteristics was realized by MEB-EDS, atomic force, RBS, X-ray diffraction and Raman spectroscopy analyses. Some optical properties (transmittance, index of refraction, optical band gap, etc.) of prepared chalcogenide films and the propagation modes measured at 633 nm, 1304 nm and 1540 nm by means of the m-lines prism-coupling configuration were investigated. The whole results point out hopeful perspectives strengthened by the clear observation of the photo-luminescence of erbium and thulium within doped sulphide films.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

CA - Anorganická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng.

ISSN

0277-786X

e-ISSN

—

Svazek periodika

5956

Číslo periodika v rámci svazku

-

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

1-8

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—