Thermoelectric properties of quaternary BixSbyPbzSe3 single crystals
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F06%3A00004428" target="_blank" >RIV/00216275:25310/06:00004428 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Thermoelectric properties of quaternary BixSbyPbzSe3 single crystals
Popis výsledku v původním jazyce
Single crystals of quaternary system based on Bi2Se3 co-doped with Sb and Pb were prepared using the Bridgman technique. Samples with varying content of Pb and Sb were characterized by measurements of the lattice parameters, electrical resistivity, Hallcoefficient, Seebeck coefficient and thermal conductivity. Atomic emission spectroscopy was used to find the concentration profiles of Sb and Pb along the single-crystalline ingots. The measurements indicate that by incorporating Pb and Sb in Bi2Se3 onelowers the concentration of free electrons and changes the character of electrical conductivity from n-type to p-type. This effect is explained in terms of point defects. Further, the evolution of the figure of merit is presented as a function of the impurity content.
Název v anglickém jazyce
Thermoelectric properties of quaternary BixSbyPbzSe3 single crystals
Popis výsledku anglicky
Single crystals of quaternary system based on Bi2Se3 co-doped with Sb and Pb were prepared using the Bridgman technique. Samples with varying content of Pb and Sb were characterized by measurements of the lattice parameters, electrical resistivity, Hallcoefficient, Seebeck coefficient and thermal conductivity. Atomic emission spectroscopy was used to find the concentration profiles of Sb and Pb along the single-crystalline ingots. The measurements indicate that by incorporating Pb and Sb in Bi2Se3 onelowers the concentration of free electrons and changes the character of electrical conductivity from n-type to p-type. This effect is explained in terms of point defects. Further, the evolution of the figure of merit is presented as a function of the impurity content.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
4th Europe Confer. on Thermoelectrics
ISBN
0 9519286 3 5
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
90-93
Název nakladatele
School of Engineering Cardiff University
Místo vydání
Cardiff
Místo konání akce
Cardiff
Datum konání akce
9. 4. 2006
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—