Thermoelectric properties of Tl doped Bi2Se3 single crystals

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F09%3A00008342" target="_blank" >RIV/00216275:25310/09:00008342 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Thermoelectric properties of Tl doped Bi2Se3 single crystals

Popis výsledku v původním jazyce

Single crystals of a ternary system based on Bi2-xTlxSe3 (nominaly x = 0.0-0.1) were prepared using the Bridgman technique. Samples with varying content of Tl were characterized by the measurement of lattice parameters, electrical conductivity, Hall coefficient, Seebeck coefficient. The measurements indicate that by incorporating Tl in Bi2Se3 one lowers the concentration of free electrons and enhances their mobility. This effect is explained in the frame of the point defects in the crystal lattice ? formation of substitutional defects thallium on the place of bismuth and decrease of concentration of selenium vacancies. We also discuss the temperature dependence of the power factor of the samples. Upon the thallium doping we observe a significant increase of the power factor compare to parental Bi2Se3.

Název v anglickém jazyce

Thermoelectric properties of Tl doped Bi2Se3 single crystals

Popis výsledku anglicky

Single crystals of a ternary system based on Bi2-xTlxSe3 (nominaly x = 0.0-0.1) were prepared using the Bridgman technique. Samples with varying content of Tl were characterized by the measurement of lattice parameters, electrical conductivity, Hall coefficient, Seebeck coefficient. The measurements indicate that by incorporating Tl in Bi2Se3 one lowers the concentration of free electrons and enhances their mobility. This effect is explained in the frame of the point defects in the crystal lattice ? formation of substitutional defects thallium on the place of bismuth and decrease of concentration of selenium vacancies. We also discuss the temperature dependence of the power factor of the samples. Upon the thallium doping we observe a significant increase of the power factor compare to parental Bi2Se3.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Crystal Research and Technology

ISSN

0232-1300

e-ISSN

—

Svazek periodika

44

Číslo periodika v rámci svazku

5

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—