Střednědobá teplotní stabilita amorfních mžikově deponovaných vrstev Ge2Sb2Te5 s ohledem na změny struktury and optických vlastností

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F09%3A00008257" target="_blank" >RIV/00216275:25310/09:00008257 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Medium-term thermal stability of amorphous Ge2Sb2Te5 flash-evaporated thin films with regards to change in structure and optical properties

Popis výsledku v původním jazyce

The stability of flash-evaporated amorphous Ge2Sb2Te5 thin films has been studied under medium-term temperature treatment (30 - 80 °C, with a step of 10 °C) in ten subsequent heating and cooling cycles. The significant changes in structure and optical properties are reported. The temperature cycling of the films resulted in formation of an isolated 5 - 7 nm nano-crystalline phase in the amorphous phase. The corresponding increase in refractive index and change in optical bandgap energy and sheet resistance are also presented. The formation of Ge2Sb2Te5 nano-crystals (~5 - 7 nm) even under temperature below 80 °C could contribute to the explanation of mechanism of resistivity fluctuation (drift) of the ?amorphous phase? films. We also show that the optical and electrical properties of flash evaporated Ge2Sb2Te5 thin films are very similar to those reported for sputtered films.

Název v anglickém jazyce

Medium-term thermal stability of amorphous Ge2Sb2Te5 flash-evaporated thin films with regards to change in structure and optical properties

Popis výsledku anglicky

The stability of flash-evaporated amorphous Ge2Sb2Te5 thin films has been studied under medium-term temperature treatment (30 - 80 °C, with a step of 10 °C) in ten subsequent heating and cooling cycles. The significant changes in structure and optical properties are reported. The temperature cycling of the films resulted in formation of an isolated 5 - 7 nm nano-crystalline phase in the amorphous phase. The corresponding increase in refractive index and change in optical bandgap energy and sheet resistance are also presented. The formation of Ge2Sb2Te5 nano-crystals (~5 - 7 nm) even under temperature below 80 °C could contribute to the explanation of mechanism of resistivity fluctuation (drift) of the ?amorphous phase? films. We also show that the optical and electrical properties of flash evaporated Ge2Sb2Te5 thin films are very similar to those reported for sputtered films.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

CA - Anorganická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/LC523" target="_blank" >LC523: Perspektivní anorganické materiály</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

-

Číslo periodika v rámci svazku

-

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—