Defects in Bi(2)Te(3-x)Se(x) single crystals
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F10%3A39881705" target="_blank" >RIV/00216275:25310/10:39881705 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Defects in Bi(2)Te(3-x)Se(x) single crystals
Popis výsledku v původním jazyce
Single crystals of a ternary system based on Bi2Te3-xSex (nominally x = 0.0-0.2) were prepared using the Bridgman technique. Samples with varying content of Se were characterized by the measurement of lattice parameters, electrical conductivity sigma (perpendicular to c) and Hall coefficient RH(B parallel to c). The actual concentration of selenium c(Se) in the samples was determined using atomic emission spectroscopy. While a small selenium concentration enhances the free hole concentration P after passing a maximum, the hole concentration decreases at higher selenium concentrations. The extreme-like dependence P = f(c(Se)) is explained in terms of a change of the native defect concentration due to the substitution of selenium atoms by tellurium ones.
Název v anglickém jazyce
Defects in Bi(2)Te(3-x)Se(x) single crystals
Popis výsledku anglicky
Single crystals of a ternary system based on Bi2Te3-xSex (nominally x = 0.0-0.2) were prepared using the Bridgman technique. Samples with varying content of Se were characterized by the measurement of lattice parameters, electrical conductivity sigma (perpendicular to c) and Hall coefficient RH(B parallel to c). The actual concentration of selenium c(Se) in the samples was determined using atomic emission spectroscopy. While a small selenium concentration enhances the free hole concentration P after passing a maximum, the hole concentration decreases at higher selenium concentrations. The extreme-like dependence P = f(c(Se)) is explained in terms of a change of the native defect concentration due to the substitution of selenium atoms by tellurium ones.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Radiation Effects and Defects in Solids
ISSN
1042-0150
e-ISSN
—
Svazek periodika
165
Číslo periodika v rámci svazku
3
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000275126400003
EID výsledku v databázi Scopus
—