Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Ge-Sb-Te thin films doped with antimony for rewritable phase-change memories

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F11%3A39895993" target="_blank" >RIV/00216275:25310/11:39895993 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Ge-Sb-Te thin films doped with antimony for rewritable phase-change memories

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The Ge-Sb-Te ternary chalcogenide system is a material for phase-change memories. However, the commercially available Ge2Sb2Te5 degrades during multiple rewriting cycles into Ge15Sb47Te38 [1]. Sb doped Ge2Sb2Te5 thin films were deposited by RF magnetronsputtering and were tested for their suitability as PRAMs using the van der Pauw method [2]. Amorphous and thermally treated thin films were characterized by the Scanning Electron Microscopy (surface morphology) coupled with the Energy Dispersive X-ray analysis (chemical composition and homogeneity) and by the X-ray diffraction analysis (crystallinity). The influence of Sb content, deposition conditions and thermal treatment on the composition, crystallinity and surface morphology of samples were established. A profile of temperature dependence of the sheet resistance and characteristic temperatures (e.g. the crystallization) were obtained and will be discussed.

  • Název v anglickém jazyce

    Ge-Sb-Te thin films doped with antimony for rewritable phase-change memories

  • Popis výsledku anglicky

    The Ge-Sb-Te ternary chalcogenide system is a material for phase-change memories. However, the commercially available Ge2Sb2Te5 degrades during multiple rewriting cycles into Ge15Sb47Te38 [1]. Sb doped Ge2Sb2Te5 thin films were deposited by RF magnetronsputtering and were tested for their suitability as PRAMs using the van der Pauw method [2]. Amorphous and thermally treated thin films were characterized by the Scanning Electron Microscopy (surface morphology) coupled with the Energy Dispersive X-ray analysis (chemical composition and homogeneity) and by the X-ray diffraction analysis (crystallinity). The influence of Sb content, deposition conditions and thermal treatment on the composition, crystallinity and surface morphology of samples were established. A profile of temperature dependence of the sheet resistance and characteristic temperatures (e.g. the crystallization) were obtained and will be discussed.

Klasifikace

  • Druh

    O - Ostatní výsledky

  • CEP obor

    CA - Anorganická chemie

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/EE2.3.09.0104" target="_blank" >EE2.3.09.0104: Podpora odborného vzdělávání a rozvoje vědeckovýzkumného týmu Centra materiálového výzkumu Pardubice</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů