Photosensitivity of pulsed laser deposited Ge20As20Se60 and Ge10As30Se60 amorphous thin films

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F13%3A39896254" target="_blank" >RIV/00216275:25310/13:39896254 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0025540813004765" target="_blank" >http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0025540813004765</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.materresbull.2013.05.097" target="_blank" >10.1016/j.materresbull.2013.05.097</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Photosensitivity of pulsed laser deposited Ge20As20Se60 and Ge10As30Se60 amorphous thin films

Popis výsledku v původním jazyce

Amorphous Ge20As20Se60 and Ge10As30Se60 thin films are fabricated by pulsed laser deposition. Prepared films are characterized in terms of their morphology, chemical composition, and optical properties. Special attention is given to the photosensitivityof the layers, which was studied by spectroscopic ellipsometry with as-deposited, annealed and exposed films by three different laser sources (593, 635, and 660 nm). The results show better photostability for Ge20As20Se60 thin films, where photoinduced change of optical band gap was found to be equal or less than 0.04 eV and these layers present almost zero photorefraction.

Název v anglickém jazyce

Photosensitivity of pulsed laser deposited Ge20As20Se60 and Ge10As30Se60 amorphous thin films

Popis výsledku anglicky

Amorphous Ge20As20Se60 and Ge10As30Se60 thin films are fabricated by pulsed laser deposition. Prepared films are characterized in terms of their morphology, chemical composition, and optical properties. Special attention is given to the photosensitivityof the layers, which was studied by spectroscopic ellipsometry with as-deposited, annealed and exposed films by three different laser sources (593, 635, and 660 nm). The results show better photostability for Ge20As20Se60 thin films, where photoinduced change of optical band gap was found to be equal or less than 0.04 eV and these layers present almost zero photorefraction.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JH - Keramika, žáruvzdorné materiály a skla

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Materials Research Bulletin

ISSN

0025-5408

e-ISSN

—

Svazek periodika

48

Číslo periodika v rámci svazku

10

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

3860-3864

Kód UT WoS článku

000324077700035

EID výsledku v databázi Scopus

—