Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Study of As50Se50 Thin Film Dissolution Kinetics in Amine based Solutions

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F13%3A39897392" target="_blank" >RIV/00216275:25310/13:39897392 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1875389213002691#" target="_blank" >http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1875389213002691#</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.phpro.2013.04.015" target="_blank" >10.1016/j.phpro.2013.04.015</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Study of As50Se50 Thin Film Dissolution Kinetics in Amine based Solutions

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Chalcogenide glass thin films are suitable materials for micro optical elements fabrication due to their convenient physical and chemical properties. They are generally photosensitive and thus can be selectively etched. Therefore they can be exploited asphotoresists in photolithography. In this paper we deal with the study of As50Se50 thin films dissolution kinetics in EDA based solutions. The detailed evolution of the etching curves is discussed and the dependences of the average etching rate on the composition and temperature of the etching bath are described.

  • Název v anglickém jazyce

    Study of As50Se50 Thin Film Dissolution Kinetics in Amine based Solutions

  • Popis výsledku anglicky

    Chalcogenide glass thin films are suitable materials for micro optical elements fabrication due to their convenient physical and chemical properties. They are generally photosensitive and thus can be selectively etched. Therefore they can be exploited asphotoresists in photolithography. In this paper we deal with the study of As50Se50 thin films dissolution kinetics in EDA based solutions. The detailed evolution of the etching curves is discussed and the dependences of the average etching rate on the composition and temperature of the etching bath are described.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    CA - Anorganická chemie

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GAP204%2F11%2F0832" target="_blank" >GAP204/11/0832: Tvorba optických prvků založená na mikro- a nanostrukturování chalkogenidových vrstev</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physics Procedia

  • ISSN

    1875-3892

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    44

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    114-119

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus