Infrared spectroscopy of Cr- and V-doped Sb2Te3: Dilute magnetic semiconductors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F14%3A39898459" target="_blank" >RIV/00216275:25310/14:39898459 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.205205" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.205205</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.205205" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.90.205205</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Infrared spectroscopy of Cr- and V-doped Sb2Te3: Dilute magnetic semiconductors

Popis výsledku v původním jazyce

Temperature dependent optical reflectance measurements on well characterized samples of nonintentionally doped, Cr-doped, and V-doped Sb2Te3 show that both the parent compound and the Cr-doped version are narrow-gap semiconductors (E-g approximate to 0.25 eV) with a conventional Drude free carrier absorption. The carrier density increases slightly with decreasing temperature while the scattering rate increases quadratically with temperature, which is a sign of the importance of optical phonon scattering. Vanadium doping introduces a change in the temperature dependence of the scattering rate as well as higher electrical resistivity than Cr-doped Sb2Te3. An analysis of the literature values of the saturation magnetization of Sb2-xVxTe3 for H parallel toc suggests V is in a mixed valence state V3+/V4+.

Název v anglickém jazyce

Infrared spectroscopy of Cr- and V-doped Sb2Te3: Dilute magnetic semiconductors

Popis výsledku anglicky

Temperature dependent optical reflectance measurements on well characterized samples of nonintentionally doped, Cr-doped, and V-doped Sb2Te3 show that both the parent compound and the Cr-doped version are narrow-gap semiconductors (E-g approximate to 0.25 eV) with a conventional Drude free carrier absorption. The carrier density increases slightly with decreasing temperature while the scattering rate increases quadratically with temperature, which is a sign of the importance of optical phonon scattering. Vanadium doping introduces a change in the temperature dependence of the scattering rate as well as higher electrical resistivity than Cr-doped Sb2Te3. An analysis of the literature values of the saturation magnetization of Sb2-xVxTe3 for H parallel toc suggests V is in a mixed valence state V3+/V4+.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physical Review B

ISSN

1098-0121

e-ISSN

—

Svazek periodika

90

Číslo periodika v rámci svazku

20

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

"205205-1"-"205205-7"

Kód UT WoS článku

000344409800003

EID výsledku v databázi Scopus

—