Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Crystal growth in Se70Te30 thin films followed by SEM and in situ XRD

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F16%3A39902151" target="_blank" >RIV/00216275:25310/16:39902151 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4964425" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4964425</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4964425" target="_blank" >10.1063/1.4964425</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Crystal growth in Se70Te30 thin films followed by SEM and in situ XRD

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The isothermal crystal growth kinetics in Se70Te30 thin films was investigated using the microscopy and in situ X-ray diffraction (XRD) measurements. Plate-like crystals grew linearly with time which is the sign of liquid-crystal interface kinetics. In the studied temperature range, from 68 degrees C to 88 degrees C, crystal growth rates exhibit simple exponential behavior with an activation energy of crystal growth E-G = 168 +/- 12 kJ mol(-1). The growth data obtained from the microscopy measurements were combined with viscosity data, melting parameters and the appropriate crystal growth model was assessed. The relation between the kinetic coefficient of crystal growth and viscosity (u proportional to eta-(xi)) is described in detail, and a correction of the standard growth model is suggested. The crystal growth data obtained from the in situ XRD measurements were described using the Johnson-Mehl-Avrami nucleation-growth model with the Avrami exponent m = 2.2 +/- 0.2. The activation energy of the overall crystallization process EA was estimated and its value is 171 +/- 11 kJ mol(-1). Published by AIP Publishing.

  • Název v anglickém jazyce

    Crystal growth in Se70Te30 thin films followed by SEM and in situ XRD

  • Popis výsledku anglicky

    The isothermal crystal growth kinetics in Se70Te30 thin films was investigated using the microscopy and in situ X-ray diffraction (XRD) measurements. Plate-like crystals grew linearly with time which is the sign of liquid-crystal interface kinetics. In the studied temperature range, from 68 degrees C to 88 degrees C, crystal growth rates exhibit simple exponential behavior with an activation energy of crystal growth E-G = 168 +/- 12 kJ mol(-1). The growth data obtained from the microscopy measurements were combined with viscosity data, melting parameters and the appropriate crystal growth model was assessed. The relation between the kinetic coefficient of crystal growth and viscosity (u proportional to eta-(xi)) is described in detail, and a correction of the standard growth model is suggested. The crystal growth data obtained from the in situ XRD measurements were described using the Johnson-Mehl-Avrami nucleation-growth model with the Avrami exponent m = 2.2 +/- 0.2. The activation energy of the overall crystallization process EA was estimated and its value is 171 +/- 11 kJ mol(-1). Published by AIP Publishing.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA16-10562S" target="_blank" >GA16-10562S: Viskozita a kinetické jevy ve sklotvorných systémech</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Applied Physics

  • ISSN

    0021-8979

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    120

  • Číslo periodika v rámci svazku

    14

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    "145301-1"-"145301-7"

  • Kód UT WoS článku

    000386535400063

  • EID výsledku v databázi Scopus