Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Amorphous Ge-Bi-Se Thin Films: A Mass Spectrometric Study

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F19%3A39915094" target="_blank" >RIV/00216275:25310/19:39915094 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216224:14310/19:00108152

  • Výsledek na webu

    <a href="https://www.nature.com/articles/s41598-019-55773-9" target="_blank" >https://www.nature.com/articles/s41598-019-55773-9</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1038/s41598-019-55773-9" target="_blank" >10.1038/s41598-019-55773-9</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Amorphous Ge-Bi-Se Thin Films: A Mass Spectrometric Study

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The Ge-Bi-Se thin films of varied compositions (Ge content 0-32.1 at. %, Bi content 0-45.7 at. %, Se content 54.3-67.9 at. %) have been prepared by rf magnetron (co)-sputtering technique. The present study was undertaken in order to investigate the clusters generated during the interaction of laser pulses with Ge-Bi-Se thin films using laser ablation time-of-flight mass spectrometry. The stoichiometry of the clusters was determined in order to understand the individual species present in the plasma plume. Laser ablation of Ge-Bi-Se thin films accompanied by ionization produces about 20 positively and/or negatively charged unary, binary and ternary (Ge-x(+), Bi-y(+), Se-z(+/-), GexSez+/-, BiySez+/- and GexBiySez-) clusters. Furthermore, we performed the laser ablation experiments of Ge:Bi:Se elemental mixtures and the results were compared with laser ablation time-of-flight mass spectrometry analysis of thin films. Moreover, to understand the geometry of the generated clusters, we calculated structures of some selected binary and ternary clusters using DFT. The generated clusters and their calculated possible geometries can give important structural information, as well as help to understand the processes present in the plasma processes exploited for thin films deposition.

  • Název v anglickém jazyce

    Amorphous Ge-Bi-Se Thin Films: A Mass Spectrometric Study

  • Popis výsledku anglicky

    The Ge-Bi-Se thin films of varied compositions (Ge content 0-32.1 at. %, Bi content 0-45.7 at. %, Se content 54.3-67.9 at. %) have been prepared by rf magnetron (co)-sputtering technique. The present study was undertaken in order to investigate the clusters generated during the interaction of laser pulses with Ge-Bi-Se thin films using laser ablation time-of-flight mass spectrometry. The stoichiometry of the clusters was determined in order to understand the individual species present in the plasma plume. Laser ablation of Ge-Bi-Se thin films accompanied by ionization produces about 20 positively and/or negatively charged unary, binary and ternary (Ge-x(+), Bi-y(+), Se-z(+/-), GexSez+/-, BiySez+/- and GexBiySez-) clusters. Furthermore, we performed the laser ablation experiments of Ge:Bi:Se elemental mixtures and the results were compared with laser ablation time-of-flight mass spectrometry analysis of thin films. Moreover, to understand the geometry of the generated clusters, we calculated structures of some selected binary and ternary clusters using DFT. The generated clusters and their calculated possible geometries can give important structural information, as well as help to understand the processes present in the plasma processes exploited for thin films deposition.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20506 - Coating and films

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA18-03823S" target="_blank" >GA18-03823S: Pokročilé metody přípravy tenkých vrstev chalkogenidů a jejich modifikace</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2019

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Scientific Reports

  • ISSN

    2045-2322

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    9

  • Číslo periodika v rámci svazku

    December

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    10

  • Strana od-do

    "19168-1"-"19168-10"

  • Kód UT WoS článku

    000503187500003

  • EID výsledku v databázi Scopus