GaTe-Sb2Te3 thin-films phase change characteristics
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F20%3A39916693" target="_blank" >RIV/00216275:25310/20:39916693 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://www.osapublishing.org/ol/abstract.cfm?uri=ol-45-5-1067" target="_blank" >https://www.osapublishing.org/ol/abstract.cfm?uri=ol-45-5-1067</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1364/OL.386779" target="_blank" >10.1364/OL.386779</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
GaTe-Sb2Te3 thin-films phase change characteristics
Popis výsledku v původním jazyce
A radio frequency magnetron co-sputtering technique exploiting GaTe and Sb2Te3 targets was used for the fabrication of Ga-Sb-Te thin films. Prepared layers cover broad region of chemical composition (~10.0-26.3 at. % of Ga, ~19.9-34.4 at. % of Sb) while keeping Te content fairly constant (53.8-55.6 at. % of Te). Upon crystallization induced by annealing, large variations in electrical resistivity were found, especially for the Ga26.3Sb19.9Te33.8 layer. Phase transition from the amorphous to crystalline state further leads to huge changes of optical functions demonstrated by optical contrast values up to 4.20 for Ga26.3Sb19.9Te53.8 composition.
Název v anglickém jazyce
GaTe-Sb2Te3 thin-films phase change characteristics
Popis výsledku anglicky
A radio frequency magnetron co-sputtering technique exploiting GaTe and Sb2Te3 targets was used for the fabrication of Ga-Sb-Te thin films. Prepared layers cover broad region of chemical composition (~10.0-26.3 at. % of Ga, ~19.9-34.4 at. % of Sb) while keeping Te content fairly constant (53.8-55.6 at. % of Te). Upon crystallization induced by annealing, large variations in electrical resistivity were found, especially for the Ga26.3Sb19.9Te33.8 layer. Phase transition from the amorphous to crystalline state further leads to huge changes of optical functions demonstrated by optical contrast values up to 4.20 for Ga26.3Sb19.9Te53.8 composition.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
20506 - Coating and films
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA18-03823S" target="_blank" >GA18-03823S: Pokročilé metody přípravy tenkých vrstev chalkogenidů a jejich modifikace</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2020
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Optics Letters
ISSN
0146-9592
e-ISSN
—
Svazek periodika
45
Číslo periodika v rámci svazku
5
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
1067-1070
Kód UT WoS článku
000522833500006
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85080119414