Multilevel resistive switching in Cu and Ag doped CBRAM device

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25530%2F18%3A39913801" target="_blank" >RIV/00216275:25530/18:39913801 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/61389013:_____/18:00493358

Výsledek na webu

<a href="https://link.springer.com/article/10.1007/s10854-018-9778-5" target="_blank" >https://link.springer.com/article/10.1007/s10854-018-9778-5</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s10854-018-9778-5" target="_blank" >10.1007/s10854-018-9778-5</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Multilevel resistive switching in Cu and Ag doped CBRAM device

Popis výsledku v původním jazyce

A new type of memory device, based on Ag and Cu doped Ge2Se3 chalcogenide, was designed and investigated by a new method, referred to as &quot;one pulse SET method&quot;. The device shows multilevel resistance states. A resistance state between ON and OFF states was found with a wide range of bias. The multilevel resistance behavior could be caused by the formation and dissolution of Ag and Cu filaments. The energy-dispersive X-ray spectroscopy mapping and scanning electron microscope results prove the distribution of Cu and Ag elements in the film.

Název v anglickém jazyce

Multilevel resistive switching in Cu and Ag doped CBRAM device

Popis výsledku anglicky

A new type of memory device, based on Ag and Cu doped Ge2Se3 chalcogenide, was designed and investigated by a new method, referred to as &quot;one pulse SET method&quot;. The device shows multilevel resistance states. A resistance state between ON and OFF states was found with a wide range of bias. The multilevel resistance behavior could be caused by the formation and dissolution of Ag and Cu filaments. The energy-dispersive X-ray spectroscopy mapping and scanning electron microscope results prove the distribution of Cu and Ag elements in the film.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20401 - Chemical engineering (plants, products)

Projekt

<a href="/cs/project/LM2015082" target="_blank" >LM2015082: Centrum materiálů a nanotechnologií</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Materials Science: Materials in Electronics

ISSN

0957-4522

e-ISSN

—

Svazek periodika

29

Číslo periodika v rámci svazku

19

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

"16836–16841"

Kód UT WoS článku

000444763400073

EID výsledku v databázi Scopus

—