Multilevel resistive switching in Cu and Ag doped CBRAM device
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389013%3A_____%2F18%3A00493358" target="_blank" >RIV/61389013:_____/18:00493358 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216275:25530/18:39913801
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s10854-018-9778-5" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1007/s10854-018-9778-5</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s10854-018-9778-5" target="_blank" >10.1007/s10854-018-9778-5</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Multilevel resistive switching in Cu and Ag doped CBRAM device
Popis výsledku v původním jazyce
A new type of memory device, based on Ag and Cu doped Ge2Se3 chalcogenide, was designed and investigated by a new method, referred to as “one pulse SET method”. The device shows multilevel resistance states. A resistance state between ON and OFF states was found with a wide range of bias. The multilevel resistance behavior could be caused by the formation and dissolution of Ag and Cu filaments. The energy-dispersive X-ray spectroscopy mapping and scanning electron microscope results prove the distribution of Cu and Ag elements in the film.
Název v anglickém jazyce
Multilevel resistive switching in Cu and Ag doped CBRAM device
Popis výsledku anglicky
A new type of memory device, based on Ag and Cu doped Ge2Se3 chalcogenide, was designed and investigated by a new method, referred to as “one pulse SET method”. The device shows multilevel resistance states. A resistance state between ON and OFF states was found with a wide range of bias. The multilevel resistance behavior could be caused by the formation and dissolution of Ag and Cu filaments. The energy-dispersive X-ray spectroscopy mapping and scanning electron microscope results prove the distribution of Cu and Ag elements in the film.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10402 - Inorganic and nuclear chemistry
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LM2015082" target="_blank" >LM2015082: Centrum materiálů a nanotechnologií</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2018
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Materials Science-Materials in Electronics
ISSN
0957-4522
e-ISSN
—
Svazek periodika
29
Číslo periodika v rámci svazku
19
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
16836-16841
Kód UT WoS článku
000444763400073
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85051562627