Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

A Study of Thin Oxide Films by Ellipsometry and AR XPS

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F01%3APU22530" target="_blank" >RIV/00216305:26210/01:PU22530 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    A Study of Thin Oxide Films by Ellipsometry and AR XPS

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In the paper the application of a simple spectroscopic ellipsometer for ex situ and in situ studies on SiO2 films (incl. native oxides on Si) is reported. It is shown that the ellipsometer is a reliable tool for the monitoring of chemical etching of SiO2films with thicknesses above 10 nm. When the films become thinner, the results obtained under atmospheric conditions are strongly influenced by the contamination and roughness of their surface layers. The concentration profiles of these ultrathin fiilms(< 10 nm) were analysed by AR XPS. Further, the ability of the ellipsometer to monitor the removal of native oxides on an Si (111) surface by thermal flashing under UHV conditions is demonstrated as well.

  • Název v anglickém jazyce

    A Study of Thin Oxide Films by Ellipsometry and AR XPS

  • Popis výsledku anglicky

    In the paper the application of a simple spectroscopic ellipsometer for ex situ and in situ studies on SiO2 films (incl. native oxides on Si) is reported. It is shown that the ellipsometer is a reliable tool for the monitoring of chemical etching of SiO2films with thicknesses above 10 nm. When the films become thinner, the results obtained under atmospheric conditions are strongly influenced by the contamination and roughness of their surface layers. The concentration profiles of these ultrathin fiilms(< 10 nm) were analysed by AR XPS. Further, the ability of the ellipsometer to monitor the removal of native oxides on an Si (111) surface by thermal flashing under UHV conditions is demonstrated as well.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/PG98377" target="_blank" >PG98377: Iontově svazkové technologie a analýza povrchů a tenkých vrstev</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2001

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    9th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA'01) Book of Abstracts

  • ISBN

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    1

  • Strana od-do

    360-360

  • Název nakladatele

    P. Marcus, A. Galtayries, N. Frémy

  • Místo vydání

    Avignon, France

  • Místo konání akce

    Avignon

  • Datum konání akce

    30. 9. 2001

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku