In situ plošné monitorování optických vlastnotí tenkých vrstev připravovaných metodou IBAD

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F01%3APU22626" target="_blank" >RIV/00216305:26210/01:PU22626 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
In situ plošné monitorování optických vlastnotí tenkých vrstev připravovaných metodou IBAD
Popis výsledku v původním jazyce
Článek se zabývá in situ měřením plošné homogenity optických vlastností tenkých vrstev SiO2 připravených metodou IBAD. Zařízení pracuje na principu spekrální odrazivosti. Rovněž je uvedeno několik příkladů aplikace.
Název v anglickém jazyce
In situ measurements of surface homogenity of optical properties of thin films prepared by IBAD
Popis výsledku anglicky
In the paper the in situ observation of areal homogenity of optical properties of SiO2 thin films prepared by IBAD is reported. The work has been done on the instrument working an the principles of spectral reflectivity designed in our group. Homogenousgrown of an SiO2 thin film with an average growth rate of 103 nm/hour during the deposition was observed. In the second experiment, the ion beam etching rate of the thermal SiO2 thin film was 200 nm/hour with enhanced roughness of the etched film.

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2001
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)