Characterizace oxidovaných galliových kapek na křemíkovém substrátu: model s elipsoidálním tvarem kapek pro úhlově závislou fotoelektronovou spektroskopii

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F09%3APU77848" target="_blank" >RIV/00216305:26210/09:PU77848 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Characterization of oxidized gallium droplets on silicon surface: an ellipsoidal droplet shape model for angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy analysis

Popis výsledku v původním jazyce

Deposition and oxidation of metallic gallium droplets on Si(111) was studied by angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy. Two gallium peaks - Ga 3d and Ga 2p - were simultaneously measured in order to get an advantage of different inelastic mean free paths of photoelectrons from these two energy levels differing in binding energy by 1100 eV. Together with the angular dependent data it enhances the precision of the size characterization of Ga droplets and oxide thickness determination. A model forthe calculation of theoretical intensities based on an ellipsoidal shape of droplets is presented and a simple procedure for estimation of droplet height and actual surface coverage based on measurement on a single emission angle is suggested.

Název v anglickém jazyce

Characterization of oxidized gallium droplets on silicon surface: an ellipsoidal droplet shape model for angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy analysis

Popis výsledku anglicky

Deposition and oxidation of metallic gallium droplets on Si(111) was studied by angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy. Two gallium peaks - Ga 3d and Ga 2p - were simultaneously measured in order to get an advantage of different inelastic mean free paths of photoelectrons from these two energy levels differing in binding energy by 1100 eV. Together with the angular dependent data it enhances the precision of the size characterization of Ga droplets and oxide thickness determination. A model forthe calculation of theoretical intensities based on an ellipsoidal shape of droplets is presented and a simple procedure for estimation of droplet height and actual surface coverage based on measurement on a single emission angle is suggested.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

517

Číslo periodika v rámci svazku

6

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—