Měření Schotkyho grafen/Si přechodu metodou EBIC

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F14%3APU109924" target="_blank" >RIV/00216305:26210/14:PU109924 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Měření Schotkyho grafen/Si přechodu metodou EBIC
Popis výsledku v původním jazyce
V článku je popisována příprava Schottkyho solárního článku s grafenovou vrstvou a s Au kontakty sběrných elektrod. Grafenová vrstva byla připravena chemickou depozicí z plynné fáze (CVD - Chemical Vapor Deposition) a přenášena pomocí mokré metody za pomocí PMMA (polymetylmetakrylát). Tyto solární články byly studovány užitím metody EBIC (Electron Beam Induc Current).
Název v anglickém jazyce
The measure of Schottky junction graphene/Si by EBIC method
Popis výsledku anglicky
In the paper is described preparation of Schottky solar cell with graphene layer and with Au collecting electrode. The graphene was prepared by Chemical Vapor Deposition (CVD) and was transferred using wet method with PMMA (methylmethacrylate). These solar cells were studied by EBIC method (Electron Beam Induc Current).

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/EE2.3.35.0004" target="_blank" >EE2.3.35.0004: Popularizace výsledků VaV VUT v Brně a podpora systematické práce se studenty</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)