SCHOTTKY SOLAR CELL WITH GRAPHENE/AL2O3/SI INTERFACE
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F16%3APU120817" target="_blank" >RIV/00216305:26210/16:PU120817 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
SCHOTTKY SOLAR CELL WITH GRAPHENE/AL2O3/SI INTERFACE
Popis výsledku v původním jazyce
In the field of applied research the combination of graphene and a semiconductor to form a Schottky solar cell (SSC) was found to be very significant. When compared to other types of solar cells being developed (organic or perovskite solar cells), the simple production process is an undisputable advantage of an SSC composed of graphene and silicon semiconductor. This simplicity and compatibility with well-established semiconductor technologies ultimately result in a low production price. The main problem relating to the Schottky solar cells with a graphene/silicon interface is the decreased efficiency of photocharge collection due to a recombination on the interface. In order to decrease the effect on the efficiency due to the recombination, the graphene/silicon interface has been modified with 2 nm Al2O3.
Název v anglickém jazyce
SCHOTTKY SOLAR CELL WITH GRAPHENE/AL2O3/SI INTERFACE
Popis výsledku anglicky
In the field of applied research the combination of graphene and a semiconductor to form a Schottky solar cell (SSC) was found to be very significant. When compared to other types of solar cells being developed (organic or perovskite solar cells), the simple production process is an undisputable advantage of an SSC composed of graphene and silicon semiconductor. This simplicity and compatibility with well-established semiconductor technologies ultimately result in a low production price. The main problem relating to the Schottky solar cells with a graphene/silicon interface is the decreased efficiency of photocharge collection due to a recombination on the interface. In order to decrease the effect on the efficiency due to the recombination, the graphene/silicon interface has been modified with 2 nm Al2O3.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
NANOCON 2016
ISBN
978-80-87294-71-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
148
Strana od-do
95-95
Název nakladatele
Neuveden
Místo vydání
neuveden
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
19. 10. 2016
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000410656100049