Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

FIB-SIMS quantification using TOF-SIMS with Ar and Xe plasma sources

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F14%3APU111413" target="_blank" >RIV/00216305:26210/14:PU111413 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/sia.5483" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/sia.5483</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/sia.5483" target="_blank" >10.1002/sia.5483</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    FIB-SIMS quantification using TOF-SIMS with Ar and Xe plasma sources

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A novel time of flight SIMS analyzer provides a new approach to SIMS analysis as an addition to a focused ion beam SEM instrument. The combination of this analyzer with a high current plasma ion source offers new opportunities for analysis, particularly in the study of coatings, which require ultra-deep profiling. Use of this instrumentation showed the ability to detect and quantify a number of elements. Quantification was obtained for Li, Na, K ion implanted in Si and for B in a sample with known concentration. Use of the electron beam from the electron column permitted analysis of 300-nm SiO2/Si implanted with BF2.

  • Název v anglickém jazyce

    FIB-SIMS quantification using TOF-SIMS with Ar and Xe plasma sources

  • Popis výsledku anglicky

    A novel time of flight SIMS analyzer provides a new approach to SIMS analysis as an addition to a focused ion beam SEM instrument. The combination of this analyzer with a high current plasma ion source offers new opportunities for analysis, particularly in the study of coatings, which require ultra-deep profiling. Use of this instrumentation showed the ability to detect and quantify a number of elements. Quantification was obtained for Li, Na, K ion implanted in Si and for B in a sample with known concentration. Use of the electron beam from the electron column permitted analysis of 300-nm SiO2/Si implanted with BF2.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/7E12087" target="_blank" >7E12087: Universal SEM as a multi-nano-analytic tool - UnivSEM</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2014

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Surface and Interface Analysis

  • ISSN

    0142-2421

  • e-ISSN

    1096-9918

  • Svazek periodika

    46

  • Číslo periodika v rámci svazku

    S1

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

    285-287

  • Kód UT WoS článku

    000345696200071

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-84912130504