SIMS TOF-LEIS hloubkový profilometr s nanometrovým rozlišením
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F08%3APR23504" target="_blank" >RIV/00216305:26210/08:PR23504 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
SIMS TOF-LEIS hloubkový profilometr s nanometrovým rozlišením
Popis výsledku v původním jazyce
Zařízení SIMS a TOF-LEIS slouží k analýze povrchů a tenkých vrstev. Unikátnost zařízení spočívá především v tom, že kromě standardních způsobů měření umožňuje střídavé profilování metodami SIMS a TOF-LEIS ve stejném místě vzorku. Zařízení využívá k analýze dvou iontových svazků s energiemi v intervalu 0,2 - 5 keV. Složení vrstev v závislosti na hloubce (hloubkový profil) je měřen pomocí iontů odprášených z povrchu pomocí dopadajícího iontového svazku (metoda SIMS). Kromě odprášených iontů jsou k analýzevyužívány odražené částice od analyzovaného vzorku (metoda TOF-LEIS). Součástí tohoto zařízení je autorský software zajišťující koordinaci obou metod.
Název v anglickém jazyce
SIMS TOF-LEIS depth profilometer with nanometer depth resolution
Popis výsledku anglicky
SIMS and TOF-LEIS instrument is intended for analysis of surfaces and thin films. Besides standard modes of analysis it can be used for alternate depth profiling with both mentioned methods which option made this instrument unique. Instrument employs twoion beams with energies in the range from 0.2 keV to 5 keV. The beam for producing of sputtered ions (SIMS - Secondary Ion Mass Spectrometry) and the second one for ion scattering on the surface (TOF-LEIS Time of Flight Low Energy Ion Scattering). Bothtypes of produced particles bring information about depth composition of analyzed sample. A part of this instrument is software enabling cooperation between both methods.
Klasifikace
Druh
G<sub>funk</sub> - Funkční vzorek
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GP202%2F07%2FP486" target="_blank" >GP202/07/P486: Hloubkové profilování 2D nanostruktur metodami SIMS, TOF-LEIS a XPS pomocí nízkoenergiového iontového odprašování</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Interní identifikační kód produktu
Zařízení SIMS TOF-LEIS
Číselná identifikace
—
Technické parametry
Získání hloubkových profilů tenkých vrstev pomocí odprašování nízkoenergiovými ionty střídavým měřením metodami SIMS a TOF-LEIS s rozlišením v jednotkách nanometrů a citlivostí v rádu ppm. Mezní tlak 9e-8 Pa, kontrola složení a
Ekonomické parametry
Předpokládaná prodejní cena 3 mil. Kč. Náklady na pořízení 2.5 mil. Kč.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
00216305
Název vlastníka
ÚFI-odbor fyziky pevných látek a povrchů
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Požadavek na licenční poplatek
N - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek
Adresa www stránky s výsledkem
—