Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Near-field optical microscopy diagnostics

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F01%3APU21327" target="_blank" >RIV/00216305:26220/01:PU21327 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Near-field optical microscopy diagnostics

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A simple experimental set-up with SNOM allows obtain the photoluminescence spectra, integrated photoluminescence intensity, electroluminescence intensity and photocurrent spectroscopy only by a simple changing of connection. We used here a combination ofreflection SNOM and of internal photoemission as well as of photoluminescence to investigate one of the major problems in today solid state physics: the lateral variations of solid interface properties. The method is well-founded to reach the spatiallyresolved photoemission on the Au/GaAs Schottky barrier or the spectral photoluminescent intensity on the nanometer scale. The preliminary experimental results of the multidiagnostic of semiconductor surface will be presented in this paper.

  • Název v anglickém jazyce

    Near-field optical microscopy diagnostics

  • Popis výsledku anglicky

    A simple experimental set-up with SNOM allows obtain the photoluminescence spectra, integrated photoluminescence intensity, electroluminescence intensity and photocurrent spectroscopy only by a simple changing of connection. We used here a combination ofreflection SNOM and of internal photoemission as well as of photoluminescence to investigate one of the major problems in today solid state physics: the lateral variations of solid interface properties. The method is well-founded to reach the spatiallyresolved photoemission on the Au/GaAs Schottky barrier or the spectral photoluminescent intensity on the nanometer scale. The preliminary experimental results of the multidiagnostic of semiconductor surface will be presented in this paper.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BH - Optika, masery a lasery

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2001

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    From quantum optics to photonics

  • ISBN

    83-913171-4-5

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    1

  • Strana od-do

    90-90

  • Název nakladatele

    Faculty of Physics, Warszaw University

  • Místo vydání

    Warszaw

  • Místo konání akce

    Zakopane

  • Datum konání akce

    28. 6. 2001

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku