The Gummel-Poon Statistical Model

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F01%3APU23139" target="_blank" >RIV/00216305:26220/01:PU23139 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

The Gummel-Poon Statistical Model

Popis výsledku v původním jazyce

The statistical model of the bipolar transistor must include the parameter correlations and proper distributions to accurately simulate transistor performance. The contribution presents the statistical Gummel-Poon model including the correlated parameters of saturation current and forward beta to account for transistor parameters production variations. The simulation results of a correlated model show a good match of measured and simulated characteristics and confirm the fundamental role of saturation ccurrent on forward beta dependence for correlated model development.

Název v anglickém jazyce

The Gummel-Poon Statistical Model

Popis výsledku anglicky

The statistical model of the bipolar transistor must include the parameter correlations and proper distributions to accurately simulate transistor performance. The contribution presents the statistical Gummel-Poon model including the correlated parameters of saturation current and forward beta to account for transistor parameters production variations. The simulation results of a correlated model show a good match of measured and simulated characteristics and confirm the fundamental role of saturation ccurrent on forward beta dependence for correlated model development.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F00%2F0939" target="_blank" >GA102/00/0939: Integrované inteligentní mikrosenzory a mikrosystémy</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2001

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Socrates Workshop 2001. Intensive Training Programme in Electronic System Design. Proceedings. Crete September 3-12, 2001. Edited by V. Musil and J.Brzobohaty.

ISBN

80-214-2027-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

276-281

Název nakladatele

Vyd. Ing. Zdeněk Novotný, Brno 2001,

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Chania, Crete, Greece

Datum konání akce

3. 9. 2001

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—