HSPICE Statistical Modeling

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F03%3APU39337" target="_blank" >RIV/00216305:26220/03:PU39337 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

HSPICE Statistical Modeling

Popis výsledku v původním jazyce

Since the active elements are fabricated during a common sequence of processing steps, the values of these elements are correlated. The active devices such as bipolar transistors must be completely statistically characterized to account for the model parameter interdependencies. The contribution aims to give the fundamental steps included in HSPICE active device statistical characterization. The modeling of correlations between the crucial bipolar transistor model parameters for forward active reggion is presented. The synthesis of correlated model including saturation current, forward beta and Early-effect parameter is described.

Název v anglickém jazyce

HSPICE Statistical Modeling

Popis výsledku anglicky

Since the active elements are fabricated during a common sequence of processing steps, the values of these elements are correlated. The active devices such as bipolar transistors must be completely statistically characterized to account for the model parameter interdependencies. The contribution aims to give the fundamental steps included in HSPICE active device statistical characterization. The modeling of correlations between the crucial bipolar transistor model parameters for forward active reggion is presented. The synthesis of correlated model including saturation current, forward beta and Early-effect parameter is described.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F03%2F0720" target="_blank" >GA102/03/0720: Identifikace parametrů modelů polovodičových struktur</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the Socrates Workshop 2003

ISBN

80-214-2461-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

136-142

Název nakladatele

Novotný-Brno

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Technological Institute of Crete, Chania, Greece

Datum konání akce

22. 9. 2003

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—