Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Bipolar transistor structure electrical characterization

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU54410" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU54410 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Bipolar transistor structure electrical characterization

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The bipolar transistor model parameters extraction method based on device simulator generated electrical characteristics is presented. The forward active region electrical characteristics generated by device simulator DESSIS substitute for the measured ones. The methodology links the device simulator DESSIS and electrical simulator HSPICE and enables to extract parameter numerical values of HSPICE built-in bipolar transistor model. The individual steps to create bipolar transistor structure, generaate corresponding mesh, simulate device structure, convert electrical data from DESSIS to HSPICE, extract model parameter values and evaluate the results are described.

  • Název v anglickém jazyce

    Bipolar transistor structure electrical characterization

  • Popis výsledku anglicky

    The bipolar transistor model parameters extraction method based on device simulator generated electrical characteristics is presented. The forward active region electrical characteristics generated by device simulator DESSIS substitute for the measured ones. The methodology links the device simulator DESSIS and electrical simulator HSPICE and enables to extract parameter numerical values of HSPICE built-in bipolar transistor model. The individual steps to create bipolar transistor structure, generaate corresponding mesh, simulate device structure, convert electrical data from DESSIS to HSPICE, extract model parameter values and evaluate the results are described.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2005

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Socrates Workshop 2005, Intensive Training Programme in Electronic System Design - Proceedings

  • ISBN

    80-214-3042-7

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    63-67

  • Název nakladatele

    Nakl. Novotný

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Chania, Crete, Greece

  • Datum konání akce

    21. 9. 2005

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    CST - Celostátní akce

  • Kód UT WoS článku