Bipolar transistor structure electrical characterization
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU54410" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU54410 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Bipolar transistor structure electrical characterization
Popis výsledku v původním jazyce
The bipolar transistor model parameters extraction method based on device simulator generated electrical characteristics is presented. The forward active region electrical characteristics generated by device simulator DESSIS substitute for the measured ones. The methodology links the device simulator DESSIS and electrical simulator HSPICE and enables to extract parameter numerical values of HSPICE built-in bipolar transistor model. The individual steps to create bipolar transistor structure, generaate corresponding mesh, simulate device structure, convert electrical data from DESSIS to HSPICE, extract model parameter values and evaluate the results are described.
Název v anglickém jazyce
Bipolar transistor structure electrical characterization
Popis výsledku anglicky
The bipolar transistor model parameters extraction method based on device simulator generated electrical characteristics is presented. The forward active region electrical characteristics generated by device simulator DESSIS substitute for the measured ones. The methodology links the device simulator DESSIS and electrical simulator HSPICE and enables to extract parameter numerical values of HSPICE built-in bipolar transistor model. The individual steps to create bipolar transistor structure, generaate corresponding mesh, simulate device structure, convert electrical data from DESSIS to HSPICE, extract model parameter values and evaluate the results are described.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Socrates Workshop 2005, Intensive Training Programme in Electronic System Design - Proceedings
ISBN
80-214-3042-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
63-67
Název nakladatele
Nakl. Novotný
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Chania, Crete, Greece
Datum konání akce
21. 9. 2005
Typ akce podle státní příslušnosti
CST - Celostátní akce
Kód UT WoS článku
—