Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

NMOS electrical characterization

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU54409" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU54409 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    NMOS electrical characterization

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The HSPICE model parameters extraction of submicrometer NMOS structure is presented. The selected electrical curves are generated by parametrized device simulator DESSIS and substitute for the measured ones in an optimization HSPICE procedure. Electricalsimulator HSPICE extracts parameter numerical values of built-in model, simulates electrical curves on the basis of extracted parameters and displays the results. The individual steps to create, mesh and simulate device structure, transform DESSIS outp put data, extract model parameter values and evaluate results are described.

  • Název v anglickém jazyce

    NMOS electrical characterization

  • Popis výsledku anglicky

    The HSPICE model parameters extraction of submicrometer NMOS structure is presented. The selected electrical curves are generated by parametrized device simulator DESSIS and substitute for the measured ones in an optimization HSPICE procedure. Electricalsimulator HSPICE extracts parameter numerical values of built-in model, simulates electrical curves on the basis of extracted parameters and displays the results. The individual steps to create, mesh and simulate device structure, transform DESSIS outp put data, extract model parameter values and evaluate results are described.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2005

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Socrates Workshop 2005, Intensive Training Programme in Electronic System Design - Proceedings

  • ISBN

    80-214-3042-7

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    72-76

  • Název nakladatele

    Nakl. Novotný

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Chania, Crete, Greece

  • Datum konání akce

    21. 9. 2005

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    CST - Celostátní akce

  • Kód UT WoS článku