NMOS electrical characterization
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU54409" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU54409 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
NMOS electrical characterization
Popis výsledku v původním jazyce
The HSPICE model parameters extraction of submicrometer NMOS structure is presented. The selected electrical curves are generated by parametrized device simulator DESSIS and substitute for the measured ones in an optimization HSPICE procedure. Electricalsimulator HSPICE extracts parameter numerical values of built-in model, simulates electrical curves on the basis of extracted parameters and displays the results. The individual steps to create, mesh and simulate device structure, transform DESSIS outp put data, extract model parameter values and evaluate results are described.
Název v anglickém jazyce
NMOS electrical characterization
Popis výsledku anglicky
The HSPICE model parameters extraction of submicrometer NMOS structure is presented. The selected electrical curves are generated by parametrized device simulator DESSIS and substitute for the measured ones in an optimization HSPICE procedure. Electricalsimulator HSPICE extracts parameter numerical values of built-in model, simulates electrical curves on the basis of extracted parameters and displays the results. The individual steps to create, mesh and simulate device structure, transform DESSIS outp put data, extract model parameter values and evaluate results are described.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Socrates Workshop 2005, Intensive Training Programme in Electronic System Design - Proceedings
ISBN
80-214-3042-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
72-76
Název nakladatele
Nakl. Novotný
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Chania, Crete, Greece
Datum konání akce
21. 9. 2005
Typ akce podle státní příslušnosti
CST - Celostátní akce
Kód UT WoS článku
—