Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Identifikace parametrů modelu diody

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU46127" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU46127 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Diode Model Parameters Extraction

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The contribution examines use of ISE-TCAD device simulation tools and the Star-HSPICE optimization tools to extract diode model parameters. The individual steps included in DESSIS diode simulation, INSPECT I-V electrical characteristics selection, HSPICEinput data formatting, model parameters optimization and model evaluation are analysed and described. The extraction methodology using DESSIS simulated data as real (measured) electrical characteristics and HSPICE optimization procedures is proposed annd applied to find the parameter values of the HSPICE diode model.

  • Název v anglickém jazyce

    Diode Model Parameters Extraction

  • Popis výsledku anglicky

    The contribution examines use of ISE-TCAD device simulation tools and the Star-HSPICE optimization tools to extract diode model parameters. The individual steps included in DESSIS diode simulation, INSPECT I-V electrical characteristics selection, HSPICEinput data formatting, model parameters optimization and model evaluation are analysed and described. The extraction methodology using DESSIS simulated data as real (measured) electrical characteristics and HSPICE optimization procedures is proposed annd applied to find the parameter values of the HSPICE diode model.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA102%2F03%2F0720" target="_blank" >GA102/03/0720: Identifikace parametrů modelů polovodičových struktur</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2004

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Socrates Workshop 2004. Intensive Training Programme in Electronic

  • ISBN

    80-214-2819-8

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    55-60

  • Název nakladatele

    NEUVEDEN

  • Místo vydání

    NEUVEDEN

  • Místo konání akce

    Technological Institute of Crete, Chania, Greece

  • Datum konání akce

    14. 9. 2004

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    CST - Celostátní akce

  • Kód UT WoS článku