Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Electrical model parameter correlations assesment using DESSIS

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU54411" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU54411 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Electrical model parameter correlations assesment using DESSIS

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The electrical model parameter extraction methodology proffitting from DESSIS device simulation techniques and HSPICE optimization procedures is presented. The described method based on the DESSIS-HSPICE link enables to search HSPICE model parameter correlations due to technology parameters variation. The link is capable to transform large amounts of data from DESSIS to HSPICE needed in described simple experiment. The electrical model parameters dependence on selected diode technology parameter is caalculated and displayed. The individual steps to create, mesh, and simulate diode structure, transform electrical data from DESSIS to HSPICE, extract model parameters for each technology parameter value and display the results are described.

  • Název v anglickém jazyce

    Electrical model parameter correlations assesment using DESSIS

  • Popis výsledku anglicky

    The electrical model parameter extraction methodology proffitting from DESSIS device simulation techniques and HSPICE optimization procedures is presented. The described method based on the DESSIS-HSPICE link enables to search HSPICE model parameter correlations due to technology parameters variation. The link is capable to transform large amounts of data from DESSIS to HSPICE needed in described simple experiment. The electrical model parameters dependence on selected diode technology parameter is caalculated and displayed. The individual steps to create, mesh, and simulate diode structure, transform electrical data from DESSIS to HSPICE, extract model parameters for each technology parameter value and display the results are described.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2005

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Socrates Workshop 2005, Intensive Training Programme in Electronic System Design - Proceedings

  • ISBN

    80-214-3042-7

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    68-71

  • Název nakladatele

    Nakl. Novotný

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Chania, Crete, Greece

  • Datum konání akce

    21. 9. 2005

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    CST - Celostátní akce

  • Kód UT WoS článku