PN Junction Local Avalanche Breakdown Induced Microplasma Noise In Semiconductor GaAsP Diodes

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F01%3APU23912" target="_blank" >RIV/00216305:26220/01:PU23912 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

PN Junction Local Avalanche Breakdown Induced Microplasma Noise In Semiconductor GaAsP Diodes

Popis výsledku v původním jazyce

Random two-level or multiple-level current impulses may occur in electronic devices containing re-verse biased p-n junctions in a certain operating mode. These impulses are usually rectangular, fea-turing constant amplitude, random pulse width and pulseorigin time points. This phenomenon is generally ascribed to local avalanche breakdowns originating in p-n junction defect regions called microplasma regions. Based on experiment results, a two-state model of stochastic generation-recombination process hhas been elaborated for the two-level impulse noise allowing to derive some statistical characteristics of this process. It can be shown that the distribution of the probability den-sity w(&#61556;0) of the impulse separation &#61556;0 and the probability density w(&#61556;1) of the impulse width &#61556;1 have exponential courses. The power spectral density of the noise current is of a G-R process type and de-pends on the particular microplasma properties. From the viewpoint of noise di

Název v anglickém jazyce

PN Junction Local Avalanche Breakdown Induced Microplasma Noise In Semiconductor GaAsP Diodes

Popis výsledku anglicky

Random two-level or multiple-level current impulses may occur in electronic devices containing re-verse biased p-n junctions in a certain operating mode. These impulses are usually rectangular, fea-turing constant amplitude, random pulse width and pulseorigin time points. This phenomenon is generally ascribed to local avalanche breakdowns originating in p-n junction defect regions called microplasma regions. Based on experiment results, a two-state model of stochastic generation-recombination process hhas been elaborated for the two-level impulse noise allowing to derive some statistical characteristics of this process. It can be shown that the distribution of the probability den-sity w(&#61556;0) of the impulse separation &#61556;0 and the probability density w(&#61556;1) of the impulse width &#61556;1 have exponential courses. The power spectral density of the noise current is of a G-R process type and de-pends on the particular microplasma properties. From the viewpoint of noise di

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2001

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of ICNF 2001

ISBN

981-02-4677-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

193-196

Název nakladatele

University of Florida, Gainesville, Florida, USA

Místo vydání

Gainesville, Florida, USA

Místo konání akce

Gainesville Florida USA

Datum konání akce

22. 10. 2001

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—