Microplasma Noise in Semiconductor GaAsP diodes

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F02%3APU30655" target="_blank" >RIV/00216305:26220/02:PU30655 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216305:26220/03:PU39291

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Microplasma Noise in Semiconductor GaAsP diodes

Popis výsledku v původním jazyce

Random two-level or multiple-level current impulses may occur in electronic devices containing reverse biased p-n junctions in a certain operating mode. These impulses are usually rectangular, featuring constant amplitude, random pulse width and pulse origin time points. This phenomenon is generally ascribed to local avalanche breakdowns originating in p-n junction defect regions called microplasma regions. Based on experiment results, a two-state model of stochastic generation-recombination process hass been elaborated for the two-level impulse noise allowing to derive some statistical characteristics of this process. It can be shown that the distribution of the probability density w(t0) of the impulse separation t0 and the probability density w(t1) of the impulse width t1 have exponential courses. The power spectral density of the noise current is of a G-R process type and depends on the particular microplasma properties. From the viewpoint of noise diagnostics, the most important fe

Název v anglickém jazyce

Microplasma Noise in Semiconductor GaAsP diodes

Popis výsledku anglicky

Random two-level or multiple-level current impulses may occur in electronic devices containing reverse biased p-n junctions in a certain operating mode. These impulses are usually rectangular, featuring constant amplitude, random pulse width and pulse origin time points. This phenomenon is generally ascribed to local avalanche breakdowns originating in p-n junction defect regions called microplasma regions. Based on experiment results, a two-state model of stochastic generation-recombination process hass been elaborated for the two-level impulse noise allowing to derive some statistical characteristics of this process. It can be shown that the distribution of the probability density w(t0) of the impulse separation t0 and the probability density w(t1) of the impulse width t1 have exponential courses. The power spectral density of the noise current is of a G-R process type and depends on the particular microplasma properties. From the viewpoint of noise diagnostics, the most important fe

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA103%2F01%2F1058" target="_blank" >GA103/01/1058: Elektromagnetická a akustická emise v pevných látkách</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Noise and Non-linearity Testing of Modern Electronic Components

ISBN

80-238-9094-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

85-89

Název nakladatele

Ing. Zdeněk Novotný, CSc.

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

12. 9. 2001

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—