Microplasma Noise in Semiconductor GaAsP diodes
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F02%3APU30655" target="_blank" >RIV/00216305:26220/02:PU30655 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216305:26220/03:PU39291
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Microplasma Noise in Semiconductor GaAsP diodes
Popis výsledku v původním jazyce
Random two-level or multiple-level current impulses may occur in electronic devices containing reverse biased p-n junctions in a certain operating mode. These impulses are usually rectangular, featuring constant amplitude, random pulse width and pulse origin time points. This phenomenon is generally ascribed to local avalanche breakdowns originating in p-n junction defect regions called microplasma regions. Based on experiment results, a two-state model of stochastic generation-recombination process hass been elaborated for the two-level impulse noise allowing to derive some statistical characteristics of this process. It can be shown that the distribution of the probability density w(t0) of the impulse separation t0 and the probability density w(t1) of the impulse width t1 have exponential courses. The power spectral density of the noise current is of a G-R process type and depends on the particular microplasma properties. From the viewpoint of noise diagnostics, the most important fe
Název v anglickém jazyce
Microplasma Noise in Semiconductor GaAsP diodes
Popis výsledku anglicky
Random two-level or multiple-level current impulses may occur in electronic devices containing reverse biased p-n junctions in a certain operating mode. These impulses are usually rectangular, featuring constant amplitude, random pulse width and pulse origin time points. This phenomenon is generally ascribed to local avalanche breakdowns originating in p-n junction defect regions called microplasma regions. Based on experiment results, a two-state model of stochastic generation-recombination process hass been elaborated for the two-level impulse noise allowing to derive some statistical characteristics of this process. It can be shown that the distribution of the probability density w(t0) of the impulse separation t0 and the probability density w(t1) of the impulse width t1 have exponential courses. The power spectral density of the noise current is of a G-R process type and depends on the particular microplasma properties. From the viewpoint of noise diagnostics, the most important fe
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA103%2F01%2F1058" target="_blank" >GA103/01/1058: Elektromagnetická a akustická emise v pevných látkách</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Noise and Non-linearity Testing of Modern Electronic Components
ISBN
80-238-9094-8
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
85-89
Název nakladatele
Ing. Zdeněk Novotný, CSc.
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
12. 9. 2001
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—