Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Microplasma Noise in Semiconductor GaAsP diodes

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F02%3APU30655" target="_blank" >RIV/00216305:26220/02:PU30655 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216305:26220/03:PU39291

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Microplasma Noise in Semiconductor GaAsP diodes

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Random two-level or multiple-level current impulses may occur in electronic devices containing reverse biased p-n junctions in a certain operating mode. These impulses are usually rectangular, featuring constant amplitude, random pulse width and pulse origin time points. This phenomenon is generally ascribed to local avalanche breakdowns originating in p-n junction defect regions called microplasma regions. Based on experiment results, a two-state model of stochastic generation-recombination process hass been elaborated for the two-level impulse noise allowing to derive some statistical characteristics of this process. It can be shown that the distribution of the probability density w(t0) of the impulse separation t0 and the probability density w(t1) of the impulse width t1 have exponential courses. The power spectral density of the noise current is of a G-R process type and depends on the particular microplasma properties. From the viewpoint of noise diagnostics, the most important fe

  • Název v anglickém jazyce

    Microplasma Noise in Semiconductor GaAsP diodes

  • Popis výsledku anglicky

    Random two-level or multiple-level current impulses may occur in electronic devices containing reverse biased p-n junctions in a certain operating mode. These impulses are usually rectangular, featuring constant amplitude, random pulse width and pulse origin time points. This phenomenon is generally ascribed to local avalanche breakdowns originating in p-n junction defect regions called microplasma regions. Based on experiment results, a two-state model of stochastic generation-recombination process hass been elaborated for the two-level impulse noise allowing to derive some statistical characteristics of this process. It can be shown that the distribution of the probability density w(t0) of the impulse separation t0 and the probability density w(t1) of the impulse width t1 have exponential courses. The power spectral density of the noise current is of a G-R process type and depends on the particular microplasma properties. From the viewpoint of noise diagnostics, the most important fe

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA103%2F01%2F1058" target="_blank" >GA103/01/1058: Elektromagnetická a akustická emise v pevných látkách</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2003

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Noise and Non-linearity Testing of Modern Electronic Components

  • ISBN

    80-238-9094-8

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    85-89

  • Název nakladatele

    Ing. Zdeněk Novotný, CSc.

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    12. 9. 2001

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku