Electron Cyclotron Resonance Plasma Etching of n-SiC and Evaluation of Ni/n-SiC Contacts by Current Noise Measurements

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F01%3APU24338" target="_blank" >RIV/00216305:26220/01:PU24338 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Electron Cyclotron Resonance Plasma Etching of n-SiC and Evaluation of Ni/n-SiC Contacts by Current Noise Measurements
Popis výsledku v původním jazyce
The Si surface of the wide band semiconductor n-SiC is plasma etched in order to smooth the substrates. Low frequency current noise characteristics are investigated in wide temperature range. Current noise increases with sample current and the number ofelectrons in active region is estimated from resistance and Hooge parameter.
Název v anglickém jazyce
Electron Cyclotron Resonance Plasma Etching of n-SiC and Evaluation of Ni/n-SiC Contacts by Current Noise Measurements
Popis výsledku anglicky
The Si surface of the wide band semiconductor n-SiC is plasma etched in order to smooth the substrates. Low frequency current noise characteristics are investigated in wide temperature range. Current noise increases with sample current and the number ofelectrons in active region is estimated from resistance and Hooge parameter.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/ME%20285" target="_blank" >ME 285: Výzkum moderních součástek pro globální komunikace</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2001
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)