Hoogeův šumový parametr GaN HFETů na SiC
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU52152" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU52152 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216305:26220/05:PU52162
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Hooge Noise Parameter of GaN HFETs on SiC
Popis výsledku v původním jazyce
Noise characteristics of epitaxial n-GaN on sapphire layers and GaN/AlGaN on sapphire or SiC HFET structures were investigated in the temperature range of 13K to 300K. Ohmic contacts were made using Ti/Al/Ni/Au and contact noise was found negligible by TLM analysis.
Název v anglickém jazyce
Hooge Noise Parameter of GaN HFETs on SiC
Popis výsledku anglicky
Noise characteristics of epitaxial n-GaN on sapphire layers and GaN/AlGaN on sapphire or SiC HFET structures were investigated in the temperature range of 13K to 300K. Ohmic contacts were made using Ti/Al/Ni/Au and contact noise was found negligible by TLM analysis.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Noise and Fluctuations, 18th International Conference on Noise and Fluctuations - ICNF 2005, AIP Conference Proceedings 780
ISBN
0-7354-0267-1
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
343-346
Název nakladatele
University of Salamanca
Místo vydání
Salamanka, Španělsko
Místo konání akce
Salamanca, Spain
Datum konání akce
19. 9. 2005
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—