Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Hoogeův šumový parametr GaN HFETů na SiC

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU52152" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU52152 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216305:26220/05:PU52162

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Hooge Noise Parameter of GaN HFETs on SiC

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Noise characteristics of epitaxial n-GaN on sapphire layers and GaN/AlGaN on sapphire or SiC HFET structures were investigated in the temperature range of 13K to 300K. Ohmic contacts were made using Ti/Al/Ni/Au and contact noise was found negligible by TLM analysis.

  • Název v anglickém jazyce

    Hooge Noise Parameter of GaN HFETs on SiC

  • Popis výsledku anglicky

    Noise characteristics of epitaxial n-GaN on sapphire layers and GaN/AlGaN on sapphire or SiC HFET structures were investigated in the temperature range of 13K to 300K. Ohmic contacts were made using Ti/Al/Ni/Au and contact noise was found negligible by TLM analysis.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2005

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Noise and Fluctuations, 18th International Conference on Noise and Fluctuations - ICNF 2005, AIP Conference Proceedings 780

  • ISBN

    0-7354-0267-1

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    343-346

  • Název nakladatele

    University of Salamanca

  • Místo vydání

    Salamanka, Španělsko

  • Místo konání akce

    Salamanca, Spain

  • Datum konání akce

    19. 9. 2005

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku