GaN quantum dot polarity determination by X-ray photoelectron diffraction

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00463238" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00463238 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.07.169" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.07.169</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.07.169" target="_blank" >10.1016/j.apsusc.2016.07.169</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

GaN quantum dot polarity determination by X-ray photoelectron diffraction

Popis výsledku v původním jazyce

Growth of GaN quantum dots (QDs) on polar and semipolar GaN substrates is a promising technology for efficient nitride-based light emitting diodes (LED). The QDs crystal orientation typically repeats the polarity of the substrate. In case of non-polar or semipolar substrates, the polarity of QDs is not obvious. In this article, the polarity of GaN QDs and of underlying layers was investigated nondestructively by X-ray photoelectron diffraction (XPD). It is confirmed experimentally, that the crystalline orientation of polar (0001) GaN QDs follows the orientation of the (0001) sapphire substrate. In case of semipolar GaN QDs grown on source(1-100) sapphire substrate, the (11-22) polarity of QDs was determined.

Název v anglickém jazyce

GaN quantum dot polarity determination by X-ray photoelectron diffraction

Popis výsledku anglicky

Growth of GaN quantum dots (QDs) on polar and semipolar GaN substrates is a promising technology for efficient nitride-based light emitting diodes (LED). The QDs crystal orientation typically repeats the polarity of the substrate. In case of non-polar or semipolar substrates, the polarity of QDs is not obvious. In this article, the polarity of GaN QDs and of underlying layers was investigated nondestructively by X-ray photoelectron diffraction (XPD). It is confirmed experimentally, that the crystalline orientation of polar (0001) GaN QDs follows the orientation of the (0001) sapphire substrate. In case of semipolar GaN QDs grown on source(1-100) sapphire substrate, the (11-22) polarity of QDs was determined.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Surface Science

ISSN

0169-4332

e-ISSN

—

Svazek periodika

389

Číslo periodika v rámci svazku

Dec

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

1156-1160

Kód UT WoS článku

000384577600141

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84983535102