Surface analysis of free-standing GaN substrates with polar, nonpolar,and semipolar crystal orientations

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00425133" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00425133 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2006400" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1117/12.2006400</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2006400" target="_blank" >10.1117/12.2006400</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Surface analysis of free-standing GaN substrates with polar, nonpolar,and semipolar crystal orientations

Popis výsledku v původním jazyce

Surface structure of the free-standing GaN substrates with polar (000-1), non-polar (1-100), (11-20), and semipolar (20-21) surface plane were investigated. Clean polar and non-polar GaN surfaces were prepared by annealing under NH3 atmosphere. (1x1) diffraction patterns were observed by low-energy electron diffraction (LEED) for both polar and nonpolar GaN surfaces. The polar GaN surface was found well-ordered, while the non-polar GaN surfaces were found less ordered with atomic steps on the surface. Polar angle dependences of the photoelecton diffraction (PED) intensities exited by MgK? radiation from N 1s level were analyzed for all the GaN surfaces, aiming to determine the polarities of the GaN surfaces with polar and semipolar crystal orientations.

Název v anglickém jazyce

Surface analysis of free-standing GaN substrates with polar, nonpolar,and semipolar crystal orientations

Popis výsledku anglicky

Surface structure of the free-standing GaN substrates with polar (000-1), non-polar (1-100), (11-20), and semipolar (20-21) surface plane were investigated. Clean polar and non-polar GaN surfaces were prepared by annealing under NH3 atmosphere. (1x1) diffraction patterns were observed by low-energy electron diffraction (LEED) for both polar and nonpolar GaN surfaces. The polar GaN surface was found well-ordered, while the non-polar GaN surfaces were found less ordered with atomic steps on the surface. Polar angle dependences of the photoelecton diffraction (PED) intensities exited by MgK? radiation from N 1s level were analyzed for all the GaN surfaces, aiming to determine the polarities of the GaN surfaces with polar and semipolar crystal orientations.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Gallium Nitride Materials and Devices VIII

ISBN

978-0-8194-9394-1

ISSN

0277-786X

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

"862521-1"-"862521-9"

Název nakladatele

SPIE

Místo vydání

Bellingham

Místo konání akce

San Francisco

Datum konání akce

4. 2. 2013

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000329526900052