Šumová spektroskopie GaN/AlGaN HFET

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU73782" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU73782 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Noise Spectroscopy of GaN/AlGaN HFETs

Popis výsledku v původním jazyce

Noise characteristics of epitaxial n-GaN on sapphire layers and GaN/AlGaN on sapphire or SiC HFET structures were investigated in the temperature range from 13K to 300K. Ohmic contacts were made using Ti/Al/Ni/Au and contact noise was found negligible byTLM analysis. The Hooge parameter alfa of epitaxial GaN was 2x10-3 at 300K, gradually decreasing to 10-4 around 50K. For GaN/AlGaN on sapphire HFET the g-r noise was dominant at almost every temperature, allowing only to determine alfa = 2x10-4 at 22K.The GaN/AlGaN on SiC HFETs were characterized by alfa values of 10-4 to 10-5.

Název v anglickém jazyce

Noise Spectroscopy of GaN/AlGaN HFETs

Popis výsledku anglicky

Noise characteristics of epitaxial n-GaN on sapphire layers and GaN/AlGaN on sapphire or SiC HFET structures were investigated in the temperature range from 13K to 300K. Ohmic contacts were made using Ti/Al/Ni/Au and contact noise was found negligible byTLM analysis. The Hooge parameter alfa of epitaxial GaN was 2x10-3 at 300K, gradually decreasing to 10-4 around 50K. For GaN/AlGaN on sapphire HFET the g-r noise was dominant at almost every temperature, allowing only to determine alfa = 2x10-4 at 22K.The GaN/AlGaN on SiC HFETs were characterized by alfa values of 10-4 to 10-5.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F05%2F2095" target="_blank" >GA102/05/2095: Zdroje šumu v polovodičových materiálech a součástkách</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

WSEAS Transactions on Electronics

ISSN

1109-9445

e-ISSN

—

Svazek periodika

4

Číslo periodika v rámci svazku

9

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—