Evaluation of Ni/n-SiC ohmic contacts by current noise measurements

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F01%3APU23959" target="_blank" >RIV/00216305:26220/01:PU23959 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Evaluation of Ni/n-SiC ohmic contacts by current noise measurements
Popis výsledku v původním jazyce
Ohmic contacts were prepared on the Si surface of the wide band gap semiconductor n-SiC etched by Ar ECR plasma and low-frequency current-noise characteristics of ohmic contacts were investigated.
Název v anglickém jazyce
Evaluation of Ni/n-SiC ohmic contacts by current noise measurements
Popis výsledku anglicky
Ohmic contacts were prepared on the Si surface of the wide band gap semiconductor n-SiC etched by Ar ECR plasma and low-frequency current-noise characteristics of ohmic contacts were investigated.

Projekt
<a href="/cs/project/ME%20285" target="_blank" >ME 285: Výzkum moderních součástek pro globální komunikace</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2001
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Proceedings of the 16th Int Conf Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations ICNF 2001
ISBN
981-02-4677-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
119-122
Název nakladatele
World Scientific
Místo vydání
Gainesville, USA
Místo konání akce
Gainesville Florida USA
Datum konání akce
22. 10. 2001
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)