Si ohmic contacts on N-type SiC

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F11%3A43892657" target="_blank" >RIV/60461373:22310/11:43892657 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/60461373:22810/11:43892657
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Si ohmic contacts on N-type SiC
Popis výsledku v původním jazyce
Widespread Ni/SiC contact after annealing at high temperatures provides good ohmic contact. We managed to prepare Si/SiC annealed ohmic contacts with comparable qualities as Ni/SiC ones. However, the main benefit of these Si/SiC ohmic contacts lies in that they retain their ohmic properties even after they are etched off which brings grounds for promising secondary contacts. Etched contacts were analyzed by XPS and surface composition alteration was observed.
Název v anglickém jazyce
Si ohmic contacts on N-type SiC
Popis výsledku anglicky
Widespread Ni/SiC contact after annealing at high temperatures provides good ohmic contact. We managed to prepare Si/SiC annealed ohmic contacts with comparable qualities as Ni/SiC ones. However, the main benefit of these Si/SiC ohmic contacts lies in that they retain their ohmic properties even after they are etched off which brings grounds for promising secondary contacts. Etched contacts were analyzed by XPS and surface composition alteration was observed.

Projekt
<a href="/cs/project/GAP108%2F11%2F0894" target="_blank" >GAP108/11/0894: Růst a zpracování gafenových vrstev na karbidu křemíku</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)